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三星抢跑!第六代还没量产:下一代DRAM内存测试线已开建

时间:2024-12-25 15:16:11 来源:置之不理网 作者:百科 阅读:965次

12月18日消息,星抢据韩国媒体报道,跑第三星电子正加速布局下一代DRAM技术,代还代在第六代DRAM尚未量产之际,没量已着手建立第七代(1d)DRAM的产下存测测试线。

报道称,试线三星已在平泽P2厂建置10纳米级的已开第七代DRAM测试线,并预计明年第一季度完全建成,星抢以提高良率并拉开与竞争对手的跑第技术差距。

三星抢跑!第六代还没量产:下一代DRAM内存测试线已开建

这条被称为“单路径线”的代还代测试线,将用于测试新半导体产品的没量量产潜力,一旦下一代芯片性能在研发阶段确定,产下存测就会在此引进晶圆,试线开始提高量产良率。已开

目前尚不确定平泽10纳米级第七代DRAM厂房的星抢规模,但通常安装测试线每月可处理约1万片晶圆。

三星计划在2026年前量产第七代DRAM,而其前身第六代(1c)DRAM计划明年(2025年)量产,因此,第七代测试线与第六代DRAM量产的准备工作同步进行。

业界认为,三星在第六代DRAM还未进入量产阶段前就为第七代建置厂房,是为了明年重夺优势的起步年所进行的投资。

三星HBM市场被第二大公司SK海力士夺走,10纳米级第六代内存的开发速度也落后于对手,为了夺回领导地位,三星必须加快产品开发速度。

(责任编辑:百科)

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